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3~5μm红外波段雪崩光电二极管探测器及其制作方法

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3~5μm红外波段雪崩光电二极管探测器及其制作方法

发布日期:2018-12-25 作者: 点击:

     本发明供给了一种3~5μm红外波段雪崩光电二极管勘探器(APD)及其制作方法,该红外波段APD包含自上而下叠置的减反膜层、P+型InSb电极触摸层、作为吸收层的N型InSb层、作为倍增层的P型外延Si层、和N+型Si层,其间,N型InSb层和P型外延Si层分别是InSb/Si键合晶片中的N型InSb层和P型外延Si层。镭射由此,InSb对红外波段光的吸收大,外延Si资料的电子离化率与空穴离化率的差别较大,其过剩噪声因子小,故能取得噪声小的倍增功能,比较倍增层为InSb的景象,不仅可以使InSb/Si APD器材的噪声下降,APD勘探器的呼应度提升,而且经由较窄吸收层的N型InSb层和窄倍增层的P型外延Si层的组合可以完成高速、低噪声光电勘探的作用;同时,使用InSb/Si键合晶片下降了与Si读出电路之间的热失配。

【主权项】:

1.一种3~5μm红外波段雪崩光电二极管勘探器,包含自上而下叠置的减反膜层、P+型InSb电极触摸层、吸收层、倍增层和N+型Si衬底,其间,所述吸收层和所述倍增层分别是InSb/Si键合晶片中的N型InSb层和P型外延Si层。



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关键词:3~5μm红外波段,雪崩光电二极管探测器,雪崩光电二极管制作方法

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